| Hersteller-Teilenummer | CY7C1168V18-300BZC | 
|---|---|
| Hersteller / Marke | CYPRESS | 
| verfügbare Anzahl | 51550 Pieces | 
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) | 
| Kurze Beschreibung | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency IC | 
| Produktkategorie | Cypress IC | 
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) | 
| Lieferzeit | 1-2 Days | 
| Datumscode (D / C) | New | 
| Datenblatt herunterladen | CY7C1168V18-300BZC.pdf | 
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für CY7C1168V18-300BZC innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
 - CY7C1168V18-300BZC
 
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
 - Contact us
 
- Hersteller lieferzeit
 - 6-8 weeks
 
- Bedingung
 - New & Unused, Original Sealed
 
- Lieferweg
 - DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
 
- Verpackung / fall
 - Original
 
- Serie
 - CY7C116
 
- Ursprungsland
 - contact us
 
- Teilstatus
 - Active
 
- Kernprozessor
 - -
 
- Kerngröße
 - -
 
- Geschwindigkeit
 - -
 
- TYPE
 - -
 
- Konnektivität
 - -
 
- Eingang
 - -
 
- Peripheriegeräte
 - -
 
- Ausgabe
 - -
 
- Anzahl der E / A
 - -
 
- Programmspeichergröße
 - -
 
- Programmspeichertyp
 - -
 
- EEPROM Größe
 - -
 
- RAM-Größe
 - -
 
- Spannungsversorgung
 - -
 
- Eigenschaften
 - -
 
- Betriebstemperatur
 - contact us
 
- Lieferantengerätepaket
 - -
 
- Andere Teilenummer
 - CY7C1168V18-300BZC
 
- Gewicht
 - Contact us
 
- Anwendung
 - Email for details
 
- Ersatzteil
 - CY7C1168V18-300BZC
 
Verwandte Komponenten von CYPRESS
- 
                                                
 - 
                                                
 - 
                                                
 - 
                                                
 - 
                                                
 - 
                                                CYPRESS36 Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture IC
 - 
                                                
 - 
                                                
 - 
                                                
 - 
                                                
 
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "CY7C11"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | 
|---|---|---|
| CY7C1141V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 
| CY7C1141V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 
| CY7C1141V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 
| CY7C1141V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 
| CY7C1141V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 
| CY7C1143KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA | 
| CY7C1143KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA | 
| CY7C1143KV18-450BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA | 
| CY7C1143V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 
| CY7C1143V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 
| CY7C1143V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 
| CY7C1143V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC | 



